chemical_structure
1. 化学结构
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化学键 bond
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primary bond
- ionic covalent metallic
- 硬、高熔点
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secondary bond
- Van der Waals
- hydrogen
- 软,低熔点
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方向性
- 共价键会将其他共用电子对相排斥到最远的地方(除了最内层的s轨道)因此重叠的电子云(轨道)面积一定要最大才能形成键,导致共价键
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晶体的性质
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定义:具有规则的重复的结构
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分类:
- 单晶体 Single Crystalline: 长距离保持有序单一的材料
- 多晶体 Polycrystalline:每一部分保持单一有序的材料
- 非晶体 Amorphous:短距离有序的材料
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晶胞
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- 晶胞的选取可以是多样的,不单一
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- 晶胞的常见形状
- cubic
- tetragonal
- hexagonal
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常见的晶型(前三个为cubic即立方晶胞,但是不一定是primitive的晶胞)
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PC: Primitive cubic / simple cubic 基本立方体
- number of atom: 1
- coordinate number (配位数): 6
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BCC: Body-centered cubic 体心立方体
- number of atom: 2
- coordinate number: 8
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FCC: Face-centered cubic 面心立方体
- number of atom: 4
- coordinate number: 12
- 常见晶体:NaCl
- 元胞形状:(2种)
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HCP: Hexagonal closed packed 六面体
- number of atom: 6
- coordinate number: 12
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温度可以改变一个晶体的结构
- iron BCC () -- FCC () -- BCC ()
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晶胞与晶型
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lattice point structure: 结构图下的黑点作为抽象的形状
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basis: 将lattice point 展开获得具体的内容,比如为1个Cs 和1个Cl 组成
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观察一个晶体的晶型,应该看这个晶体的lattice的形状而不是每个原子离子的几何形态
- 简单一点想,就是在化合物中将所有离子按照化学式配比,消去后保留一个,观察消除之后的几何关系就是整体的晶型。
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堆积 Stack Sequence
- 定义:对于立方晶胞按照原子面密度最大的面进行切割,就可以获得晶面
- PC,BCC 都应该水平地切割晶胞
- FCC 应该是沿着 [110] 平面进行切割, 所以FCC 晶胞拥有 ABC三层原子层
- HCP 是两层原子层 -> 通过这个更好理解为什么 HCP 的配位数是 12(上下3 + 本层 6)
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影响材料性能的微观因素
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- 原子是否为晶体(包括是否为单晶体)
- 单晶体一定是各向异性的
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- 材料性质具有方向性
- 多晶体如果各自晶面随机朝向,那么晶体整体不具有方向性 (isotropic)
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- 材料不同平面
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塑性形变常常是由于原子层之间发生相对滑移导致的
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不同类型晶体的容易发生该变化的平面不同
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例:石墨晶体在层之间容易发生滑移,但是垂直层方向不容易滑移
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晶体点位表示法
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- 用占 unit cell 的比例表示坐标
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- 用从原点出发的向量表示坐标
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- 小于1的值需要通分得到整数
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- 最后获得结果用 [] 围起来
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线密度
- 这里只考虑经过原子球心的数量,只经过部分的不考虑
- 向量端点处只能算半个原子(两个向量均分原子)
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晶面向量
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miller 指数
- 通过几个整数表示晶面,基就是晶格的几个边界向量
- 由于其系数常有hkl表示,所以也叫hkl系数
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找到垂直于面的向量,然后约分/通分到最小整数
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面密度
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- 这个原子数需要将内角和变成360度才可以算作1个
- 三维晶格面的描述要用到密勒指数
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非纯净晶体的特殊性质
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非纯净的分类
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0D (Point) , 1D (Line) , 2D (Surface) , 3D (Bulk)
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0D
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- 如果缝隙 >> 杂质原子大小: interstitial
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形成要求:
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- 溶质是非金属
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- 有缝隙但是缺少原子: vacancy
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缺少原子含量
- 是 阿伏伽德罗常数,也就是 1mol 物质所包含的原子数量
- 就是形成结构所需要的能量
- 是波尔兹漫常数
- 是绝对温度
- 是一般系数
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- 缝隙被杂质原子替代: substitutional
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形成要求:
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- 两种金属原子半径范围 在 15% 以内
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- 各自纯净金属的晶胞类型相同
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- 电正负性相近
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- 形成不同于纯净部分的新的结构
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形成要求:
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- 具有相似的电性
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- 从熔化的状态冷却得到
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内部强度较大,交界面上强度弱一点
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1D: 错位现象 dislocation
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属于一维线错位
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刃错位中心 edge dislocation: 晶面在晶体内部戛然而止形成了锋利的边界

- 本地晶体扭曲结果
- 扭曲导致远距离(相对断开的edge位置)部分错位的距离减小
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螺旋错位中心 screw dislocation: 晶体中间剪开之后一半向上位移一半向下位移
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混合错位 mixed dislocation: 二者兼而有之
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Climb 现象
- 在 shear force 作用下产生相对滑动导致的垂直切割力 的方向产生了裂纹
- 这也是一种错位情况
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2D: 表面缺陷 Surface
- 晶面 Grain Surface 表示两个晶体层之间的表面
- 小角度 small-angle boundary
- 双生边界 twin boundary
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